致冷晶片


致冷晶片是一種產生負熱阻的製冷技術,可在致冷晶片兩端維持一個溫差,當熱面溫度Th達到50℃時此溫差可超過75℃,當熱面的熱量不斷被移出時,熱量會從冷面持續被抽出。抽出的速率跟致冷晶片的功率有關,一般功率越大則速率越大。

致冷晶片使用上僅需輸入電流,就可進行冷卻或加熱,操作簡單也易於維修,因無機械零件、無噪音產生,且不使用冷媒,響應環保概念。

致冷晶片原理:因半導體材料的Peltier效應,當一對P、N型粒子(如圖所示)連接並通以直流電時,上端面溫度將降低形成吸熱端;下端面溫度升高形成放熱端。

致冷晶片

致冷晶片規格:
(1)外形、尺寸:一般為方形,也有長方形、圓形和寶塔形等。單片厚度約3-5mm,雙片或多片近3mm的倍數。
(2)最大產冷量:保持熱面溫度27℃(或50℃)時,可從冷面抽出熱量的最大值。一般用來比較不同規格的製冷能力。
(3)最大溫差電壓:致冷晶片維持兩端溫差大小的能力與直流電壓成正比,達到最大溫差時稱為最大溫差電壓,若施加的電壓超過該電壓後溫差將會縮小。
(4)最大溫差電流:是確認致冷晶片功率的重要指標,有時用電阻值替代表示,當冷熱面溫度27℃時(溫差為0),是在最大溫差電壓下的電流值。該數值可代表致冷晶片的功率大小,亦表示運作時的電流範圍。

致冷晶片規格表

致冷晶片


















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